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測(cè)試介質(zhì)損耗測(cè)試儀產(chǎn)品說明

測(cè)試介質(zhì)損耗測(cè)試儀因數(shù)在預(yù)防性試驗(yàn)中的項(xiàng)目。因?yàn)殡姎庠O(shè)備介質(zhì)損耗因數(shù)太大，會(huì)使設(shè)備絕緣在交流電壓作用下，許多能量以熱的形式損耗，產(chǎn)生的熱量將升高電氣設(shè)備絕緣的溫度，使絕緣老化，甚至造成絕緣熱擊穿。

絕緣能力的下降直接反映為介質(zhì)損耗因數(shù)的增大。進(jìn)一步就可以分析絕緣下降的原因，如：絕緣受潮、絕緣油受污染、老化變質(zhì)等等。

所以，在出廠試驗(yàn)時(shí)要進(jìn)行介質(zhì)損耗的試驗(yàn)，運(yùn)行中的電氣設(shè)備亦要進(jìn)行此種試驗(yàn)。測(cè)量介質(zhì)損耗的同時(shí)，也能得到試品的電容量。電容量的明顯變化，反映了多個(gè)電容中的一個(gè)或幾個(gè)發(fā)生短路、斷路。

介質(zhì)損耗測(cè)試儀在交流電壓作用下，電介質(zhì)要消耗部分電能，這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗。這種能量電介質(zhì)的損耗。

當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí)，電介質(zhì)中的電壓和電流間存在相角差Ψ，Ψ的余角δ稱為介質(zhì)損耗角，δ的正切tgδ稱為介質(zhì)損耗角正切。

tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù)。儀器測(cè)量線路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路（Cn）和一被試回路（Cx）。

標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線路組成，被試回路由被試品和測(cè)量線路組成。測(cè)量線路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成。

上海蘇霍通過測(cè)量變頻抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位等，再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法，通過矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值。